导语：国内存储、逻辑产线资本开支即将达到高峰，其中3D NAND扩产确定性强且规模庞大，LPDDR5 DRAM的需求也在逐渐增加，而先进逻辑产能紧缺。这些行业动态将对中微公司、北方华创、拓荆科技、芯源微、华海清科和盛美上海等相关公司产生积极影响。详情请继续阅读。
NAND：YMTC 232 层 3D NAND 扩产确定性强规模大，每万片 capex 约 13-15 亿美金。目前全球 3D NAND 月产能 200 万-300 万片，国内的月产能占比 5%以下，国内存储大厂需要持续扩产提升份额才能在全球存储市场拥有成本优势和议价权。同时，3D NAND对光刻设备精度要求弱于先进逻辑产线和高端 DRAM，后续持续扩产逻辑强。
DRAM：2023 年 11 月 28 日，长鑫存储官网公告 LPDDR5 DRAM，单颗容量 12Gb、速率 6400Mbps，功耗降低 30%，通过 8 颗 LPDDR5 层叠封装存储容量可达 12GB。手机 DRAM 国产化需求下长鑫存储高端DRAM 产线 CAPEX 有望加大。16 纳米产线 capex 约为 12 亿美金/万片/月，相比 19 纳米 capex 提升 30%以上。
先进逻辑：H回归， FINFET产能紧缺，扩产确定性较高。14nm 先进逻辑产线每万片/月 设备capex 16 亿美金，7nm 先进逻辑产线每万片/月 设备capex 提升至30 亿美金。其中，刻蚀、PVD、外延等设备需求量更高。
[礼物]受益标的：中微公司、北方华创、拓荆科技、芯源微、华海清科、盛美上海
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