导语：据韩媒报道，SK海力士计划将HBM4堆栈直接放置在GPU上，这将给HBM4带来三方面的变化：散热、内存接口和TSV。对应的投资标的包括混合键合、散热材料、内存接口、TSV封测和TSV设备等。然而，需要注意HBM4技术路径变更、市场需求不及预期以及国产HBM突破缓慢等风险。
#事件：
据韩媒，SK海力士计划将HBM4堆栈直接放置在GPU上。
相比上一代，HBM4在以下三方面迎来大变化：
【散热】“存算一体”，带来散热新挑战。目前业内有两大解决方案：1）混合键合，利用硅本身的导热性，获得更好的热性能；2）加大非导电薄膜（NCF）用量。
【内存接口】HBM4将1024位的接口数升级到2048位。
【TSV】HBM4有望达到16层（现有HBM3e主要8层居多），并且TSV孔洞密度增加，带来TSV工艺量的大增。
相关标的：
【混合键合】拓荆科技
【散热材料】德邦科技
【内存接口】芯原股份/澜起科技
【TSV封测】深科技/晶方科技/通富微电/长电科技/华天科技
【TSV设备】中微公司/北方华创/华海清科/盛美上海
【TSV材料】兴森科技/ 强力新材/上海新阳/飞凯材料/联瑞新材/安集科技/鼎龙股份
风险提示：HBM4技术路径变更；市场需求不及预期；国产HBM突破缓慢。
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