导语：存储板块的机遇正逐渐浮现。NAND Flash行情持续上扬，NVIDIA发布搭载HBM3e的全新H200 GPU，为存储领域带来新的发展动力。四季度的价格预判显示，NAND和DRAM合约价都有望上涨，其中CSSD、ESSD、eMMC UFS和3D NAND wafers等产品的涨幅也有所预估。天风电子团队提供了关注存储板块的大机遇，包括存储芯片、存储接口、存储模组及主控、存储封测及HBM产业链等领域。以下是更多关于该信息的详情。
NAND Flash延续涨势，行业价格紧跟NAND资源上扬
本周上游资源方面，NAND Flash Wafer行情保持上扬趋势，DDR4资源基本持平。渠道SSD倒挂行情加剧，库存高企令市场成交动力不足，但由于资源成本持续高企，成品端抗跌性较强，本周渠道价格维持不变。行业市场方面，行业SSD继续跟随good die资源价格水涨船高，行业客户备货需求浮现，SSD成交价持续上扬，行业内存价格稳定。嵌入式市场方面，嵌入式NAND资源供应持续紧缺，部分eMMC价格上调，其他价格基本维持不变。
[庆祝]NVIDIA H200发布催化HBM加速发展：英伟达发布全新H200 GPU及更新后的GH200 产品线。相比H100，H200首次搭载HBM3e，运行大模型的综合性能提升60%-90%。而新一代的GH200依旧采用CPU+GPU架构，也将为下一代AI超级计算机提供动力。HBM3e是一种基于3D堆叠工艺的DRAM存储芯片，AI服务器对其需求强烈，在摩尔定律放缓、GPU核心利用率不足的背景下对高带宽存储反而成为瓶颈，HBM是破局关键。H200的推理速度比H100提高了2倍，处理高性能计算的应用程序上有20%以上的提升，采用HBM3e，完成了1.4倍内存带宽和1.8倍内存容量的升级。
[烟花]四季度价格预判：1)NAND : 供应商扩大减产，第四季NAND Flash合约价季涨幅预估8~13%，其中预期CSSD涨幅8-13%，ESSD涨幅5-10%，eMMC UFS涨幅10-15%，3D NAND wafers 涨幅13-18%。2)DRAM: 第四季DRAM合约价将转为上涨，季涨幅预估3~8%, 其中PC DDR5、LPDDR4X5(X)、GRAPHICS DRAM、CONSUMER DRAM涨幅居前。
天风电子团队自22年底开始重点提示板块机会，关注存储板块大机遇：
1）存储芯片：兆易创新、北京君正、普冉股份、东芯股份、恒烁股份等
2）存储接口：澜起科技、聚辰股份等
3）存储模组及主控：江波龙、德明利、佰维存储、朗科科技等
4）存储封测及HBM产业链：长电科技/通富微电/华天科技/深科技/雅克科技/香农芯创/万润科技/华海诚科/联瑞新材/壹石通/赛腾股份等
5）待上市公司：长江存储/长鑫存储/得一微/联芸科技/芯天下等
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