导语：AI技术的创新推动了存储器新技术产品化的放量，同时也不断推动着HBM产业链的投资和变革。封装测试领域的通富、长电，设备方面的拓荆、华海清科、华卓、芯源微，以及材料领域的华海诚科、天承、艾森等公司，都是值得关注的。HBM作为一种高带宽高容量的内存技术，在AI芯片领域扮演着重要的角色。HBM将持续迭代，I/O口数量和单I/O口速率也将不断提高。当前HBM主流采用的是TCB（Thermal Compression Bonding）键合方式，但随着堆叠层数的增加，散热效率变差，因此海力士率先引入了MR-MUF（Micro Reflowable Underfill）回流焊工艺。另外，混合键合与TSV（Through-Silicon Via）是3D封装的核心，混合键合将推动永久键合设备和减薄+CMP（Chemical Mechanical Planarization）的需求。在设备和材料方面，有许多新的发展机遇等待着探索。需要注意的是，新技术工艺和新品产业化可能面临一些风险。
AI技术创新，拉动存储器新技术产品化放量，亦将持续拉动HBM产业链的投资与变革，前瞻受益的即是设备和材料升级；建议关注：封测：通富、长电；设备：拓荆（PECVD+ALD+键合）、华海清科（减薄+CMP）、华卓（拟上市，键合）、芯源微（临时键合与解键合）；材料：华海诚科（环氧塑封）、天承（RDL+TSV电镀添加剂）、艾森（先进封装电镀）
①HBM加速迭代，市场空间足：突破“内存墙”，实现高带宽高容量，成AI芯最强辅助，HBM将持续迭代，I/O口数量及单I/O口速率将逐提升，HBM3以及HBM3e渐成AI服务器主配，产品周期相对较长，单颗容量及配置颗数逐增，预HBM4于26年发布。24年全球HBM市场有望超百亿美元，空间足，国产供应链加速配套
②HBM3海力士率先引入MR-MUF，HBM4剑指混合键合；当前HBM采用“TSV+Bumping”+TCB键合方式堆叠（TSV晶圆厂完成，封测厂堆叠配套），但随堆叠层数增加散热效率很差，TCB不再满足，海力士率先引入MR-MUF回归大规模回流焊工艺，芯片间用液态环氧模塑料作填充材料，导热率比TC-NCF中的非导电薄膜高很多，但海力士也预计HBM4会引入混合键合Hybrid Bonding，取消互连凸块；我们预判，当前HBM主流依是TCB压合，MR-MUF为过渡，未来混合键合是大趋势。液态塑封料LMC依然是晶圆级封装至关重要的半导材料之一
③混合键合与TSV是3D封装核心，HBM“连接”与“堆叠”带来设备材料端发展新机遇：混合键合分为晶圆对晶圆W2W和芯片对晶圆D2W，3D NAND使用W2W，典型案例为长鑫存储Xstacking，CMOS层+存储层采用W2W混合键合，预计HBM未来亦会采用W2W方案，W2W与D2W方案相比一般应用于良率非常高的晶圆，避免损失；根据我们产业链研究，混合键合将充分带动永久键合设备与减薄+CMP需求，BESI数据，预存储领域未来贡献混合键合设备明显增量，保守预计26年需求超200台，减薄+CMP亦成重要一环；当前HBM方案主要带动固晶机、临时键合与解键合、塑封装备及TSV所需的PECVD、电镀、CMP等设备；材料则是TSV电镀液、塑封料等
风险提示：新技术工艺、新品无法如期产业化，产能扩张进度不及预期风险
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